摘要：高精度、低噪声和低功耗的无晶体固态振荡器技术让频率控制器件可以通过常见的 CMOS 技术被移植到最低成本的架构中。尽管其固有的Q LC tank 较低，但创新的设计达到了与业界标准晶体或MEMS振荡器相媲美的性能。该白皮书详细地描述了创新的技术打破石英占领多年市场的局面。
　　关键字：CMOS 振荡器；无晶体；时钟源；MEMS；抖动；相位噪声；LC 振荡器；固态；精度
　　DOI: 10.3969/j.issn.1005-5517.2012.10.003
　　由于有了高精度、低噪声和低功耗的 CMOS 振荡器，所以频率控制器件可以采用成本最低的架构，并用全硅解决方案构成频率源。不过，CMOS 技术不能实现高 Q(品质因数)组件。例如，一个集成的电感器的品质因数(Q-factor)在10 到 20 之间。但是，CMOS 技术支持高频振荡器设计。所以在 CMOS 振荡器中，品质因数-频率(Q-f)之积很高。因此，尽管与 MEMS 振荡器和晶体振荡器相比，CMOS 谐振器的品质因数很低，CMOS 振荡器仍能实现低噪声。由于不同技术的品质因数-频率之积相同，所以采用不同技术的产品的性能是类似的。尽管由于采用 CMOS 工艺而对应的品质因数很低，CMOS 振荡器仍能提供与晶体振荡器及 MEMS 振荡器类似的性能，并且，由于采用了全硅工艺， CMOS 振荡器的成本是最低的。对 CMOS 振荡器而言，剩下的挑战就是最大限度地降低频率漂移，并实现高频稳定性，本文将探讨这些问题。