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利用薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ工艺成功地研制了沟道长度为１．０μｍ的薄膜抗辐照ＳＩＭＯＸＭＯＳＦＥＴ，ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ反相器和环振电路，Ｎ和ＰＭＯＳＦＥＴ在辐照剂量分别 为３×１０＾５ｒａｄ（Ｓｉ）和７×１０＾５ｒａｄ（Ｓｉ）时的阈值电压漂移均小于１Ｖ。
短沟道CMOS／SIMOX器件及电路的辐照特性研究
【摘 要】
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利用薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ工艺成功地研制了沟道长度为１．０μｍ的薄膜抗辐照ＳＩＭＯＸＭＯＳＦＥＴ，ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ反相器和环振电路，Ｎ和ＰＭＯＳＦＥＴ在辐照剂量分别 为３×１０＾５ｒａｄ（Ｓｉ）和７×１０＾５ｒａｄ（Ｓｉ）时的阈值电压漂移均小于１Ｖ。
【机 构】
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北京大学微电子学研究所
【出 处】
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电子学报
【发表日期】
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1996年11期
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