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采用高温合成方法生成了高纯碳化硅（SiC）粉。采用高纯碳（C）粉和硅（Si）粉直接反应，不需外加添加剂，通过控制外部加热使Si和C持续反应。实验结果表明，在相同反应时间条件下，不同加热温度对生成的SiC粉料的粒度和纯度有很大影响。当反应温度从1920℃升高到1966℃时，生成的SiC粉粒度由12．548μm增加到29．259μm。当温度继续升高，SiC粉的粒度逐渐减小。温度高于2000℃时，SiC粉的粒度趋于约20μm。同时，X射线衍射图分析表明．温度高于2000℃时．牛成的SiC粉料中C比例会明显增加。