【摘 要】
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通过正交试验对氮化硅陶瓷基体进行超声精细雾化抛光,研究抛光工艺参数（抛光液流量、抛光压力、抛光盘转速）对抛光速率和表面粗糙度的影响。以抛光后氮化硅陶瓷的材料去除率和
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通过正交试验对氮化硅陶瓷基体进行超声精细雾化抛光,研究抛光工艺参数（抛光液流量、抛光压力、抛光盘转速）对抛光速率和表面粗糙度的影响。以抛光后氮化硅陶瓷的材料去除率和表面粗糙度为评价指标,根据正交试验结果得到最优参数组合,并与传统的抛光效果进行试验对比。结果表明：研究的3种参数中,对材料去除率的影响程度由高到低依次为雾液流量、抛光压力、抛光盘转速,对抛光后工件表面粗糙度的影响程度由高到低依次为抛光盘转速、雾液流量、抛光压力;在相同的实验条件下,精细雾化抛光的材料去除率与表面粗糙度与传统抛光接近,但精细雾化抛
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