【摘 要】
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为了减小多晶硅表面的反射率,采用皮秒激光在多晶硅片表面制备阵列孔绒面,分析了激光参数对制绒深度的作用机理,优选出实验参数:激光功率为15 W,脉冲频率为25 kHz,扫描速度为
【基金项目】
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国家自然科学基金(51505236)
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为了减小多晶硅表面的反射率,采用皮秒激光在多晶硅片表面制备阵列孔绒面,分析了激光参数对制绒深度的作用机理,优选出实验参数:激光功率为15 W,脉冲频率为25 kHz,扫描速度为0.9 m/s,扫描次数为2。利用优选参数验证了制绒孔距对多晶硅片表面反射率的影响,并通过PC1D软件模拟出不同制绒硅片的开路电压和短路电流。结果表明,当孔距为30μm时,多晶硅表面形成的孔最为紧密,形貌最好,其孔密度为1.17×105 counts·cm-2,表面反射率为6.95%,多晶硅电池光-电转化效率提升至18.45%。
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