退火温度对PLT铁电薄膜微结构和电畴的影响

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常温下采用射频磁控溅射技术在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基片上淀积(Pb0.9 La0.1)TiO3薄膜,分别在550℃、570℃、600℃、630℃退火1h。采用X射线衍射,原子力显微镜和压电响应力显微镜检测不同退火温度的薄膜,讨论退火温度对薄膜结构、表面形貌和电畴结构的影响。结果表明:随着退火温度的升高,薄膜中钙钛矿相的含量增多,表面粗糙度和颗粒尺寸不断增大,薄膜从无畴状态变为以90°畴为主的多畴,而在退火升降温过程中,由于应力的影响,面外畴更多为取向向下的负畴。
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