一种新型的SiGe超高真空化学气相沉积系统

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研制成功了一台超高真空化学气相沉积系统。该系统采用扁平石英管作为生长室,扁平石墨加热器进行加热。系统真空度用分子泵维持,本底真空度可达2×10^-6Pa。利用该系统所生长的SiGe外延层晶体质量良好,界面清晰平直;利用Ge组分渐变技术还能够实现低位错密度弛豫SiGe外层的生长。
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