提供低损耗大功率的MOSFET

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硅功率二极管的PN结通常有大约1.2V的压降。这个压降使得功率二极管上消耗了相当的能量,从而造成电源效率的损失。对于一个有120W电源和24V标称电压的太阳能板,一个防止回流的二极管可能产生6W功率损失,或相当于受控能量的5%。此外,为二极管散热而开发一个冷却系统的成本也可 The PN junction of a silicon power diode usually has a voltage drop of about 1.2V. This voltage drop consumes considerable energy on the power diode, resulting in loss of power efficiency. For a solar panel with a 120W supply and a 24V nominal voltage, a diode that prevents backflow can generate 6W of power loss, or 5% of the controlled energy. In addition, the cost of developing a cooling system for diode cooling is also acceptable
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