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利用化学气相沉积法（CVD）,在不同压强下分别得到β-Ga2O3纳米线（NWs）和纳米带（NBs）。研究结果表明,获得的NWs与NBs均为单斜结构的β-Ga2O3,且NWs结晶质量优于NBs。在阴极射线发光（CL）光谱中,发现NWs与NBs在近紫外和蓝光波段有较强的发光。对比NWs与NBs的CL光谱,推断β-Ga2O3在374 nm和459 nm的近紫外和蓝色发光峰分别来自于Ⅰ型和Ⅱ型氧空位（VO（I）和VO（Ⅱ））的缺陷复合。