【摘 要】
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以硅烷SiH4和乙烯C2H4为反应原料,采用激光诱导化学气相沉积法(LICVD)制备了高纯、低团聚、近球形的理想纳米SiC粉体.用化学分析、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)及比
【机 构】
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北京化工大学,中国科学院金属研究所激光加工研究室,北京化工大学
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以硅烷SiH4和乙烯C2H4为反应原料,采用激光诱导化学气相沉积法(LICVD)制备了高纯、低团聚、近球形的理想纳米SiC粉体.用化学分析、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)及比表面积(BET)等分析测试手段对粉体进行了表征,结果表明粉体中SiC含量高于98%,平均粒径为20nm,晶体结构为β-SiC,粉体产率大于200g/h,粉体中氧含量低于1%,且主要是表面的吸附氧;从能量和反应气流量两个方面对粉体产率进行了理论分析,在此基础上推导出了粉体产率公式,与实际粉体产率基本一致.
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