硅衬底RF集成电路螺旋电感品质因数Q的优化

来源 :高技术通讯 | 被引量 : 0次 | 上传用户：illyfei

【摘要】

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详细分析了RF集成电路硅衬底螺旋电感(SIOS)的一种物理模型,该模型考虑了衬底效应.通过MATLAB仿真,得出了衬底损耗对螺旋电感品质因数Q的影响.在此基础上对金属线宽和线间距

【作者】

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潘瑞毛军发王彬

【机构】

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上海交通大学电子工程系

【出处】

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高技术通讯

【发表日期】

：

2003年7期

【关键词】

：

硅衬底螺旋电感 RF集成电路品质因数物理模型衬底效应 SIOS 串联电感串联电阻串联电容寄生参数优化设计 SIOS Quality factor

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详细分析了RF集成电路硅衬底螺旋电感(SIOS)的一种物理模型,该模型考虑了衬底效应.通过MATLAB仿真,得出了衬底损耗对螺旋电感品质因数Q的影响.在此基础上对金属线宽和线间距进行了严格的数值优化,实现了在设计要求不变的前提下螺旋电感Q的优化,并进一步推导出了最优化线圈宽度的近似解析式.采用优化结果进行设计,可以使Q得到明显提高.

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