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利用低压金属有机物化学气相沉积技术，采用均匀掺杂和渐变Mg-δ掺杂方法，分别在氮化镓（GaN）和高温氮化铝（HT-A1N）模板上，生长了P型GaN外延材料．生长后，双晶X射线衍射和霍尔测试结果表明：HT-AIN模板上采用渐变M争艿掺杂方法生长的P型GaN材料，具有最好的晶体质量和电学性能．该P型GaN样品的（0002）面半峰宽值小至178＇，其空穴氧浓度为5、78×10^17cm^-3．在对Cp2Mg／TMGa进行了优化试验后，P型GaN的空穴氧浓度被提高到8．03×10^17cm^-