碲镉汞p^＋-on-n长波异质结探测器的研究

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhexiu1314

【摘要】

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报道了HgCdTe p+-on-n长波异质结焦平面器件的研究结果.采用由分子束外延(MBE)和原位掺杂技术生长的p+-on-n异质结材料,通过湿法腐蚀、台面钝化、台面金属化、铟柱制备和互连

【作者】

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叶振华吴俊胡晓宁巫艳王建新李言谨何力

【机构】

：

中国科学院上海技术物理研究所

【出处】

：

红外与毫米波学报

【发表日期】

：

2004年6期

【关键词】

：

异质结焦平面器件碲镉汞 MBE 暗电流器件性能湿法腐蚀长波结焦工艺 HgCdTe p(+)-on-n hetero-junction R(0)A

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报道了HgCdTe p+-on-n长波异质结焦平面器件的研究结果.采用由分子束外延(MBE)和原位掺杂技术生长的p+-on-n异质结材料,通过湿法腐蚀、台面钝化、台面金属化、铟柱制备和互连等工艺,得到了HgCdTe p+-on-n长波异质结焦平面器件.根据I-V实验结果和暗电流理论,拟合计算和分析了各种暗电流机制对器件性能的影响,且获得了器件的响应光谱和探测率.

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