适用于功率MOSFET的新型PSPICE电热子电路

来源 :电子设计技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：youluxihua

【摘要】

：

现时许多功率MOSFET模型都以理想化的横向MOSFET器件为基础,在某些领域中会为仿真和实际电路性能之间带来不良的关连,并存在着或高或低的电流误差,因而误导功率电路设计人员.

【机构】

：

飞兆半导体公司

【出处】

：

电子设计技术

【发表日期】

：

2004年3期

【关键词】

：

功率电热模型非线性理想化动态性能电容特性电路性能电路设计电流误差低功耗人员器件基础仿真

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现时许多功率MOSFET模型都以理想化的横向MOSFET器件为基础,在某些领域中会为仿真和实际电路性能之间带来不良的关连,并存在着或高或低的电流误差,因而误导功率电路设计人员.这个情况由于模型的动态性能而变得更加复杂.理想的低功耗1级SPICE NMOS MOSFET模型无法说明功率MOSFET的非线性电容特性Ciss、Coss、Crss,可以使用较高级的SPICE MOSFET模型来执行带混合结果的非线性电容.

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