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研究了电沉积制得的AgInSe2半导体薄膜上过氧化氢阴极还原过程中产生的电化学振荡行为,借助现场紫外-可见反射谱观察分析了振荡期间的薄膜表面组成的变化,对影响该振荡行为的一些因素如溶液组成、传质、光照等进行分析,为银铟硒半导体薄膜发展成为光电传感器提供了一定的理论和实践基础.
原位可见紫外反射谱研究电沉积AgInSe2薄膜上的电化学振荡现象
【摘 要】
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研究了电沉积制得的AgInSe2半导体薄膜上过氧化氢阴极还原过程中产生的电化学振荡行为,借助现场紫外-可见反射谱观察分析了振荡期间的薄膜表面组成的变化,对影响该振荡行为的
【机 构】
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上海交通大学化学化工学院,厦门大学化学系
【出 处】
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上海师范大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2001年2期
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