【摘 要】
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用多孔硅外延层转移的方法成功地制备出了 SOI材料 , 卢瑟福背散射 /沟道谱 (RBS/C)和扩展电阻 (SPR)的结果表明获得的 SOI材料上层硅具有很好的单晶质量 , 电阻率分布均匀 ,
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用多孔硅外延层转移的方法成功地制备出了 SOI材料 , 卢瑟福背散射 /沟道谱 (RBS/C)和扩展电阻 (SPR)的结果表明获得的 SOI材料上层硅具有很好的单晶质量 , 电阻率分布均匀 , 上层硅与氧化硅埋层界面陡直 . 对制备多孔硅的衬底材料也作了研究 , 结果表明 P型重掺杂的硅衬底在暗场下阳极氧化后仍保持很好的单晶性能 , 用超高真空电子束蒸发方法能外延出质量很好的单晶硅 , 并且 , 在一定浓度的 HF/H2O2溶液中具有较高的腐蚀选择率 , 保证了上层硅厚度的均匀性 .
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