【摘 要】
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研究了在MBE系统中,GaAs(001)表面的氮化过程.GaAs(001)表面直接和间接地暴露在等离子体激发的N2气流下.两种氮化过程显示了完全不同的表面氮化结果.在打开N2发生器挡板的情
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研究了在MBE系统中,GaAs(001)表面的氮化过程.GaAs(001)表面直接和间接地暴露在等离子体激发的N2气流下.两种氮化过程显示了完全不同的表面氮化结果.在打开N2发生器挡板的情况下,氮化导致GaAs(001)表面损伤,并且形成多晶结构.当增加N2气压时,损伤变得更严重.但是,在关闭N2发生器挡板的情况下,在500℃下,经过氮化将观察到(3×3)再构的RHEED花样,表面仍保持原子级的平整度.上述结果表明,不开N2发生器挡板,低温(500℃下)氮化将在GaN外延生长之前形成平整的薄层c
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