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《华尔街日报》近日公布2011年“科技创新奖”,英特尔的3.D三栅极晶体管设计获得半导体类别创新大奖。英特尔的3.D三栅极晶体管结构代表着从2.D平面晶体管结构的根本性转变。这项革命性成果,其关键在于英特尔能够把全新的3.D三栅极晶体管设计投入批量生产,开启了摩尔定律的又—个新时代,并且为各种类型的设备的下一代创新打开了大门。