低电压C类SiGe微波功率异质结双极型晶体管

来源 :城市道桥与防洪 | 被引量 : 0次 | 上传用户：chuanqi111

【摘要】

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给出了低电压微波SiGe功率异质结双极型晶体管(HBT)的器件结构和测试结果.器件结构适于低压大电流状态下应用.采用了梳状发射极条的横向版图设计,其工作电压为3-4V.在C类工作

【作者】

：

贾宏勇陈培毅钱佩信潘宏菽黄杰杨增敏李明月

【机构】

：

清华大学微电子所,信息产业部电子13所,;

【出处】

：

城市道桥与防洪

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

锗硅异质结晶体管微波功率晶体管

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给出了低电压微波SiGe功率异质结双极型晶体管(HBT)的器件结构和测试结果.器件结构适于低压大电流状态下应用.采用了梳状发射极条的横向版图设计,其工作电压为3-4V.在C类工作状态,1GHz的工作频率下,输出功率可以达到1.65W,具有8dB的增益.3V时可以达到的最高收集极效率为67.8%.

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