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[期刊论文] 作者：熊小义,刘志农,张伟,付玉霞,黄文韬,刘志弘,陈长春,窦维治,钱佩信,
来源：微纳电子技术 年份：2003
在SiGeHBT的制造工艺中,为了防止干法刻蚀发射极台面对外基区表面造成损伤,从而导致SiGeHBT小电流下较大漏电问题,对SiGeHBT发射极台面的湿法腐蚀技术进行了研究。通过改变超...
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