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采用低压MOCVD法在(111)取向硅基上制备了TiO2薄膜代替通常MOS结构的SiO2,并测量了TiO2薄膜的介电常数、表面固定电荷密度和电阻率,与SiO2作比较,结果表明:TiO2的 MOS结构比SiO2具有更优良的性质,更适应于超大规模集成电路制造.
新型MOS氧化层TiO2薄膜
【摘 要】
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采用低压MOCVD法在(111)取向硅基上制备了TiO2薄膜代替通常MOS结构的SiO2,并测量了TiO2薄膜的介电常数、表面固定电荷密度和电阻率,与SiO2作比较,结果表明:TiO2的 MOS结构比S
【机 构】
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上海交通大学,山东大学
【出 处】
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压电与声光
【发表日期】
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2003年6期
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