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利用静态高温高压触媒法合成优质cBN单晶，合成温度和压强范围形成一“V”形区域。从Gibbs自由能（△G）角度分析了采用Li3N为触媒合成cBN单晶时，不同物相在“V”形区及其扩大区域（1600～2200K、4．8～6．0GPa）内向cBN相变的可能性。分别计算了高温高压下hBN＋Li3N→Li3BN2、hBN→cBN和Li3BN2→cBN＋Li3N三个反应的△G。结果表明：在“V”形区及其扩大区域内，前二个反应的AG均为负值，分别为-35～～10kJ／mol和-25～-19kJ／mol；而第三个反应的△