【摘 要】
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第三代功率半导体碳化硅(SiC)具有高耐压等级、开关速度快以及耐高温的特点,能显著提高电动汽车驱动系统的效率、功率密度和可靠性。本文首先设计了两电平三相逆变器主电路和
【机 构】
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湖南大学电气与信息工程学院,湖南沃森电气科技有限公司,中国电源学会
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第三代功率半导体碳化硅(SiC)具有高耐压等级、开关速度快以及耐高温的特点,能显著提高电动汽车驱动系统的效率、功率密度和可靠性。本文首先设计了两电平三相逆变器主电路和带有保护功能的隔离型驱动电路,使用LTSpice仿真分析了门极电阻对驱动性能的影响,其次建立了逆变器的功率损耗与热阻模型,使用Icepak对散热器进行了散热分析。之后本文讨论了PCB板寄生参数对主电路和驱动电路的影响,并提出了减少寄生参数的措施。最后,本文采用CREE公司的1200V/40m? SiC MOSFET制作了一台7.5kW的实验样机并给出了测试结果。
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