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本文用气相外延(VPE)法在(100)GaAs衬底上生长了ZnS_xSe_(1-x)外延膜,并通过改变ZnS源温度和衬底温度使组分x值控制在0—1范围内。外延膜在77K时的光致发光(PL)光谱的近带边发射峰很强,半高宽较窄,这表明VPE ZnS_xSe_(1-x)外延膜的质量较高。
VPE ZnSxSe1—x外延膜的生长及其光致发光
【摘 要】
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本文用气相外延(VPE)法在(100)GaAs衬底上生长了ZnS_xSe_(1-x)外延膜,并通过改变ZnS源温度和衬底温度使组分x值控制在0—1范围内。外延膜在77K时的光致发光(PL)光谱的近带边
【机 构】
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中国科学院长春物理研究所,中国科学院长春物理研究所
【出 处】
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发光学报
【发表日期】
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1990年3期
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