【摘 要】
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制备了一种用于有源矩阵液晶显示的具有对称结构、较好I-V特性对称性和较高电流通断比的MIM薄膜二极管.采用了基于反应溅射的多层膜工艺制备其Ta2O5绝缘层.采用原子力显微镜(
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制备了一种用于有源矩阵液晶显示的具有对称结构、较好I-V特性对称性和较高电流通断比的MIM薄膜二极管.采用了基于反应溅射的多层膜工艺制备其Ta2O5绝缘层.采用原子力显微镜(AFM)对Ta2O5膜进行了表面分析,并对MIM薄膜二极管的I-V特性进行了测试.AFM分析结果表明,电子束蒸发/反应溅射/电子束蒸发法工艺制备的绝缘膜表面平整,膜层较致密;I-V特性测试结果显示,MIM-TFD的电流通断比约为105,I-V特性曲线的非线性系数为10,左右阈值电压分别为6.3 V和5.8 V,具有良好的对称性.该MI
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