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本文综述了近几年来用正电子湮没技术对化合物的半导体Ｇａ Ａｓ进行的以下几方面研究：生长缺陷、掺杂效应、温度效应、辐照效应和形变缺陷．
正电子湮没技术在GaAs研究中的应用
【摘 要】
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本文综述了近几年来用正电子湮没技术对化合物的半导体Ｇａ Ａｓ进行的以下几方面研究：生长缺陷、掺杂效应、温度效应、辐照效应和形变缺陷．
【机 构】
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华中理工大学物理系
【出 处】
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物理
【发表日期】
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1989年2期
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