【摘 要】
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本文考查了在某些含稀土ThCr<sub>2</sub>Si<sub>2</sub>型相中早已观察到的镧系膨胀（相对于镧系收缩而言）,并与大多数这种相中所观察到的正常镧系收缩性质进行了比较。很明显
【机 构】
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美国Iowa州立大学材料科学与工程系阿姆斯实验室Jr
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本文考查了在某些含稀土ThCr<sub>2</sub>Si<sub>2</sub>型相中早已观察到的镧系膨胀（相对于镧系收缩而言）,并与大多数这种相中所观察到的正常镧系收缩性质进行了比较。很明显镧系膨胀是由于几何因素引起的,即如果一个小的镧系原子代替一个大的镧系原子,只要Si-Si和Si-M（M为非稀土过渡元素）的间距保持不变,则c轴膨胀。形成这些化合物过程中,也发生电子转移。在大多数情况下,电子转移对于镧系膨胀是更重要的。它是镧系膨胀仅发生在RM<s
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