基于硅基氮化硅波导的外腔激光器研究

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本论文展示了一种可调谐硅基外腔激光器,调谐范围在C波段(1540~1560nm),该激光器使用端面直接耦合(edge coupling)方式将SOA(Semiconductor Optical Amplifier)与硅基Si3N4波导集成.通过设计硅基Si3N4波导微环结构行成激光器外腔,激光器边模抑制比(side-mode suppression,SMSR)可达64dB.使用热调方式对微环进行等效折射率调节,实现了激光器粗调(coarse tune)与精调(fine tune)相结合,调节精度可达0.04nm.
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