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在6H—SiC上用（GaN／AlN缓冲层生长AlN的张力应变

来源 :电子材料快报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sk_chin

【作 者】

：

毕叔和 

【出 处】

：

电子材料快报

【发表日期】

：

2000年3期

【关键词】

：

氮化铝 氮化镓 碳化硅 缓冲层 生长 张力应变 

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