【摘 要】
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本文比较了微波S波段固态放大器的两种类型,即硅(Si)双极型晶体管放大器(以下简称晶放)和砷化镓场效应晶体管(GaAs FET)放大器(以下简称场放)的优缺点。指出在L波段及更低波
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本文比较了微波S波段固态放大器的两种类型,即硅(Si)双极型晶体管放大器(以下简称晶放)和砷化镓场效应晶体管(GaAs FET)放大器(以下简称场放)的优缺点。指出在L波段及更低波段的功率放大器多采用晶放,在C波段及更高波段的功放采用场放。而在S波段两种型式功放均有所见。最后给出国产双极型晶体管和国产GaAs FET的S波段功放的应用实例。
This article compares two types of microwave S-band solid-state amplifiers, namely, the advantages and disadvantages of silicon (Si) bipolar transistor amplifiers (GaAs FETs) and GaAs FET amplifiers (GaAs FETs) . It is pointed out that the power amplifiers in the L band and the lower band mostly adopt the crystal amplifier, and the amplifier in the C band and the higher band use the field amplifier. In the S-band both types of amplifier have seen. Finally, the practical examples of S-band power amplifiers made in domestic bipolar transistors and domestic GaAs FETs are given.
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