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使用基于局域密度泛函理论的第一性原理赝势法,对6原子层厚铜薄膜中的空位进行了计算机模拟研究,计算出薄膜表面层、次表层和第三层中空位的形成能分别是0.69,0.82和1.00 eV。作为对比,计算得到体材料中空位的形成能是1.04 eV。并详细分析了空位近邻原子的驰豫情况。计算所得到结果与实验数据基本一致。