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基于0.35μmSOI工艺平台,进行PDSOI CMOS标准单元建库技术研究。讨论选用H型栅和源漏非对称结构CMOS建立PDSOI标准单元的优点,根据0.35μm SOI CMOS工艺设计规则进行标准单元库设计,并设计了标准单元测试芯片。
H型栅/源漏非对称结构CMOS在PDSOI标准单元建库中的应用
【摘 要】
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基于0.35μmSOI工艺平台,进行PDSOI CMOS标准单元建库技术研究。讨论选用H型栅和源漏非对称结构CMOS建立PDSOI标准单元的优点,根据0.35μm SOI CMOS工艺设计规则进行标准单元
【机 构】
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西安微电子技术研究所
【出 处】
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科学技术与工程
【发表日期】
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2009年10期
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