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介绍了一种BiCMOS工艺制作的高电源抑制比和高精确度的带隙基准电压源,其输出电压为1.2V,在-40℃~80℃范围内有较好的温度特性,温度漂移系数为9.8×10^-6 ℃-1.采用电压负反馈原理和减少耦合电容的方法,使电路具有高的电源抑制比,并且电路结构简单,匹配性好。采用Hspice工具对电路进行了仿真,验证了设计的正确性。该电路能广泛用于在电源环境恶劣的场合下工作的集成电路中。