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本文报道了用改进的垂直气相法(多级提纯垂直气相法)生长富Cd的CdSe单晶体，并对晶体的性能进行了观测，其电阻率为107Ωcm量级，电子陷阱浓度为108cm-3量级，第一次报道了(110)面的腐蚀形貌。结果表明：采用这种方法制备CdSe单晶，设备简单，易于操作，在提纯和生长过程中不需要转移原料，有利于减少晶体中的杂质含量，降低位错密度，改善晶体的电学性能。多级提纯垂直气相法是一种有前途的CdSe单晶体生长的新方法。