【摘 要】
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介绍了多晶硅、单晶硅的同步外延．采用两步外延工艺，研究了硅烷流量、外延时间以及外延温度对外延质量参数α的影响．硅烷流量大、初始诱生时间短，则单晶硅条宽，多晶硅横向蔓延弱，但
【机 构】
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兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所
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介绍了多晶硅、单晶硅的同步外延．采用两步外延工艺，研究了硅烷流量、外延时间以及外延温度对外延质量参数α的影响．硅烷流量大、初始诱生时间短，则单晶硅条宽，多晶硅横向蔓延弱，但外延层质量可能较差．较优的条件是：硅烷诱生生长流量为13．1～17．5sccm，正常生长流量为7．0～7．88sccm，初始诱生时间为30～50s．温度影响较复杂，当温度低于980℃时，单晶硅条宽随温度增加而增加，在980℃附近达到最大，随后随温度增加单晶条宽降低．
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