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通过不同工艺的拉晶实验,发现晶转、拉速、热对流等因素对高阻n〈111〉硅单晶径向电阻率均匀性有所影响。采用水平磁场拉晶工艺,通过提高晶转、增大拉速、减小热对流等,可有效提高硅单晶径向电阻率均匀性。
n型高阻硅单晶电阻率均匀性的控制
【摘 要】
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通过不同工艺的拉晶实验,发现晶转、拉速、热对流等因素对高阻n〈111〉硅单晶径向电阻率均匀性有所影响。采用水平磁场拉晶工艺,通过提高晶转、增大拉速、减小热对流等,可有
【机 构】
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中电集团第四十六研究所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2004年09期
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