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在硅晶片的表面下的损坏的深度和自然将限制 IC 部件的表演。晶片由磨车轮的 #325, #600,和 #2000 扎根了的硅的损坏微观结构被分析。结果证明许多微裂缝,破裂,和脱臼插座出现在表面并且由磨擦的 #325 的晶片地面表面下车轮。没有明显的微观结构变化存在。有大约 100nm,微裂缝,高密度脱臼,和多晶的硅的厚度的非结晶的层被观察在由磨擦的 #600 的晶片地面表面下车轮。为由 #2000grinding 车轮,大约 30 nm 厚度的非结晶的层,多晶的硅层,一些脱臼,和一块橡皮的晶片地面变丑层存