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在普通玻璃衬底上低温(600℃以下)制备poly-Si TFT有源矩阵液晶显示器是当前的研究热点.采用金属诱导横向晶化法低温研制了poly-Si TFT.分析了晶化前后有源层的刻蚀对poly-Si TFT性能的影响.
晶化前后有源层的刻蚀对
【摘 要】
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在普通玻璃衬底上低温(600℃以下)制备poly-Si TFT有源矩阵液晶显示器是当前的研究热点.采用金属诱导横向晶化法低温研制了poly-Si TFT.分析了晶化前后有源层的刻蚀对poly-Si
【机 构】
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华中科技大学电子科学与技术系,;华中科技大学物理系,
【出 处】
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微细加工技术
【发表日期】
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2001年2期
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