【摘 要】
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文中研究了使用大束流金属离子注入形成的CoSi2/Si肖特基结的特性。肖特基结由离子注入和快速热退火两步工艺形成。Co离子注入剂量为3×1017ion/cm2,注入电压25kV。快速热退
【机 构】
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清华大学微电子学研究所,清华大学微电子学研究所,清华大学微电子学研究所,清华大学微电子学研究所 北京,100084,北京,100084,北京,100084,北京,100084
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文中研究了使用大束流金属离子注入形成的CoSi2/Si肖特基结的特性。肖特基结由离子注入和快速热退火两步工艺形成。Co离子注入剂量为3×1017ion/cm2,注入电压25kV。快速热退火温度为850°C,时间为1min。应用I-V和C-V测量进行参数提取。I-V分析得到势垒高度约为0.64eV,理想因子为1.11,C-V分析得到势垒为0.72eV。最后依据实验结果对工艺提出了改进意见。
In this paper, the characteristics of CoSi2 / Si Schottky junction formed by large beam metal ion implantation are studied. Schottky junction formed by ion implantation and rapid thermal annealing two-step process. Co ion implantation dose of 3 × 1017ion / cm2, the injection voltage of 25kV. Rapid thermal annealing temperature of 850 ° C, the time was 1min. Apply I-V and C-V measurements for parameter extraction. I-V analysis of the barrier height is about 0.64eV, the ideal factor of 1.11, C-V analysis of the barrier was 0.72eV. Finally, based on the experimental results on the process proposed improvements.
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