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ZnO是宽禁带半导体，室温下禁带宽度为3．37eV，激子束缚能高达60meV，是制备光电器件的优选材料。然而，p型掺杂仍是亟待解决的问题。IB元素Cu被认为在ZnO中产生受主能级，可以实现ZnO的p型掺杂。综述了各种制备方法、制备条件和激发条件下得到的Cu掺杂ZnO薄膜、纳米线和纳米棒的光致发光谱和机理，总结出Cu掺杂ZnO光致发光谱的带边发射会因为Cu的掺杂强度降低，或出现发射中心红移等现象。可见光区域由于Cu掺杂会产生新的蓝光、绿光和橙光发射峰，蓝光发射峰可能与Cu^2＋-Cu^＋跃迁或Vzn和Zn有