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本文研究了RhB分子的539.0nm和572.5nm两荧光峰在表面增强活性银胶颗粒表面上的增强和淬灭效应：在同一分子体系中同时观察到530.0nm荧光峰的增强和572.5nm荧光峰的淬灭，并对其进行了理论计算。结果表明这两个荧光峰的增强或淬灭主要取决于局域电磁场增强和分子到金属我辐射能量转移衰减过程的竞争效应，当满足吸收共振增强和辐射共振增强时，荧光被增强；反之，荧光被淬灭，计算表明，荧光增强因子最高为10^2。