【摘 要】
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提出一种以聚合物MEH-PPV为发光材料,结构为Al/MEH-PPV/CuPC/ITO的倒置型发光器件(IPLED).对既是空穴传输层又是轰击缓冲层的CuPC厚度以及MEH-PPV的浓度对器件性能影响的分析
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
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提出一种以聚合物MEH-PPV为发光材料,结构为Al/MEH-PPV/CuPC/ITO的倒置型发光器件(IPLED).对既是空穴传输层又是轰击缓冲层的CuPC厚度以及MEH-PPV的浓度对器件性能影响的分析发现,在实验条件下,最佳的CuPC厚度约为3.5 nm,最佳的MEH-PPV浓度约为3‰;采用小分子染料红莫稀(Rubrene)对聚合物发光材料MEH-PPV掺杂发现,器件的亮度从未掺杂的40.4 cd·m2提高到掺杂后的207.7 cd/m2,其发光峰从未掺杂的624 nm蓝移到掺杂后的59
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