双台面硅崩越二极管的实验研究

来源 :北京大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:jingcang_wu
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对于硅崩越管管芯;选择一致的物理参数;选用恰当的引线方式;改进管芯与管壳的热接触确定最佳结直径,双台面崩越二极管实现了功率合成,在7.7GHz的频率下得到效率为6.5%,连续输出功率为800mw的结果。 Select the appropriate physical lead; Select the appropriate lead mode; Improve the thermal contact between the die and the package to determine the best junction diameter. The double-decked overcurrent diode achieves power synthesis at a frequency of 7.7GHz Under the efficiency of 6.5%, continuous output power of 800mw results.
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