【摘 要】
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用等离子体化学气相沉积（ＰＣＶＤ）法制备ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜材料（衬底温度２００℃￣３５０℃），用固相晶化法（ＳＰＣ）获得多晶硅薄膜（退火温度５００℃￣６５０℃）。用Ｘ射线衍射法测得平均晶粒尺寸依赖于退火温度和沉积条件，随着沉积温度的降低需
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用等离子体化学气相沉积（ＰＣＶＤ）法制备ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜材料（衬底温度２００℃￣３５０℃），用固相晶化法（ＳＰＣ）获得多晶硅薄膜（退火温度５００℃￣６５０℃）。用Ｘ射线衍射法测得平均晶粒尺寸依赖于退火温度和沉积条件，随着沉积温度的降低需要较高的退火温度。用ＳＥＭ观测形貌测得平均晶粒大小为１．０￣１．５μｍ。
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