【摘 要】
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碳纳米管材料存在各种缺陷结构,这些缺陷对碳纳米管的性能具有显著影响。本文利用第一性原理计算方法,研究不同位置和结构的缺陷对碳纳米管功函数和态密度等性能的影响。计算
【机 构】
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温州大学温州市微纳光电器件重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金(61620106006、61871292)
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碳纳米管材料存在各种缺陷结构,这些缺陷对碳纳米管的性能具有显著影响。本文利用第一性原理计算方法,研究不同位置和结构的缺陷对碳纳米管功函数和态密度等性能的影响。计算结果表明,带帽结构的功函数为4.89 eV,带隙为0.7 e V;开口结构的功函数为4.70 eV,带隙极小,接近于0 eV。与带帽结构相比,开口结构的碳纳米管功函数更低且费米能级处的带隙更小。缺陷的位置和结构是影响碳纳米管性能的重要因素。对于尺寸相同位置不同的缺陷,越靠近碳纳米管下端,碳纳米管的功函数越低。同时,缺陷结构影响碳纳米管的导电性。由
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