【摘 要】
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研究了石墨烯/硒化钼薄膜异质结的制备及其光电特性。首先,在Si衬底上以硒化钼粉末为原料,采用化学气相沉积法(CVD)沉积硒化钼薄膜;然后,以甲烷为原料在硒化钼薄膜表面利用化
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(31570515);江苏省十三五重点学科资助项目(20168765);苏州市科技计划项目(SYN201511);江苏省研究生科研创新计划项目(KYCX17_2061)
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研究了石墨烯/硒化钼薄膜异质结的制备及其光电特性。首先,在Si衬底上以硒化钼粉末为原料,采用化学气相沉积法(CVD)沉积硒化钼薄膜;然后,以甲烷为原料在硒化钼薄膜表面利用化学气相沉积法沉积石墨烯膜形成石墨烯/硒化钼异质结。利用原子力显微镜(AFM)观察表明,硒化钼薄膜由许多垂直于表面、直径大约2 nm、高度大约10 nm的纳米线构成,而石墨烯则为许多小片分散在衬底表面。X射线衍射分析表明,硒化钼薄膜在(004)晶面具有很强的取向生长的特性,这与AFM观察到硒化钼薄膜由许多相互平行的纳米线构成相一致。石墨烯
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