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期刊论文
SnO2/Si的光伏特性
SnO2/Si的光伏特性
来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wskiqpk
【摘 要】
:
采用CVD方法在硅单晶上制备SnO2薄膜,对不同硅衬底及在不同温度下淀积SnO2制得SnO2/Si进行光电压谱的测量,得出最佳的制备温度;采用类金属半导体接触模型,推导出有关计算公式,计算得出其介面复合速度
【作 者】
:
张万中
朱文章
【出 处】
:
半导体光电
【发表日期】
:
1995年2期
【关键词】
:
半导体材料
薄膜
二氧化硅
硅
CVD
光伏特性
Semiconductor Materials
Thin Film Growth
Photovoltaic E
【基金项目】
:
国家自然科学基金,福建省科学基金
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采用CVD方法在硅单晶上制备SnO2薄膜,对不同硅衬底及在不同温度下淀积SnO2制得SnO2/Si进行光电压谱的测量,得出最佳的制备温度;采用类金属半导体接触模型,推导出有关计算公式,计算得出其介面复合速度和异质结势垒宽度等参数。
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