【摘 要】
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在130℃用激光诱发淀积法(LAD)在(111)A面CdTe衬底上生长了n型Hg_(0.7)Cd_(0.3)Te。在77K,其电子迁移率为4000～7000cm~2/V·s,载流子浓度为(0.7～3)×10~(16)cm~(-3)。外延薄膜
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在130℃用激光诱发淀积法(LAD)在(111)A面CdTe衬底上生长了n型Hg_(0.7)Cd_(0.3)Te。在77K,其电子迁移率为4000～7000cm~2/V·s,载流子浓度为(0.7～3)×10~(16)cm~(-3)。外延薄膜经过410℃退火后可以转变成p型。已用离子注入制成了n~+/p光电二极管。
The n - type Hg_ (0.7) Cd_ (0.3) Te was grown on the (111) A surface CdTe substrate by laser induced deposition (LAD) at 130 ℃. At 77K, the electron mobility is 4000 ~ 7000cm ~ 2 / V · s and the carrier concentration is (0.7 ~ 3) × 10 ~ (16) cm ~ (-3). Epitaxial films annealed at 410 ℃ can be transformed into p-type. N ~ + / p photodiodes have been fabricated by ion implantation.
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