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随着半导体制造技术的发展，尤其是随着晶体管线宽尺寸从0．13um到90nm，再到60nm以下，电阻电容延迟对整个器件功能的影响越来越大。为了应对这种影响，新的材料不断得到应用：低电阻的铜代替以前的铝成为新的金属互连线，金属之间的介质材料也从以前的TEOS SiO2到低介电常数的FSG，
面对新材料的挑战-先进化学机械研磨清洗技术简介
【摘 要】
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随着半导体制造技术的发展，尤其是随着晶体管线宽尺寸从0．13um到90nm，再到60nm以下，电阻电容延迟对整个器件功能的影响越来越大。为了应对这种影响，新的材料不断得到应用：低电阻的
【出 处】
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集成电路应用
【发表日期】
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2008年10期
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