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采用脉冲放电法在六甲基二硅烷液体中放电制备得到β-SiC纳米颗粒，研究了空气气氛中退火样品的光致发光谱与退火温度的关系。在室温下观察到400nm和470nm的发光峰。讨论了相关的光致发光性质和可能的内在机理。400nm峰可能是源自于β-SiC纳米颗粒表面的原子过量缺陷中心，而470nm峰则认为与在β-SiC纳米晶和无定形SiO2界面处的缺陷有关。